随着微电子工业的发展,---规模集成电路制造的硅片尺寸越做越大,要求半导体制造工艺中的气体品质相应越来越高,对气体中杂质和露1点要求---严格,需要达到ppb、ppt级,尘埃粒径求控制小于0.1~0.05m的微粒,因此对高纯气体的输送管路系统提出了非常高的要求 。
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高纯氮气纯化装置以深冷法制氮、psa变压吸附制氮,氮膜分离制氮的普通氮气为原料,经过加氢催化除氧,冷凝、吸附二级干燥,过滤,除去氮气中的杂质氧、---、水份和尘埃,获得高纯度的氮气。用户对纯氮中的含氢量有特殊要求时,我们可以通过工艺手段来控制氮气中的氢气含量。若原料氮的氧含量超过0.1%时,则可用加氢除氧和除氢的方式来获得无氢高纯氮,若原料氮的氧含量小于0.1%,则采用化学除氧工艺方法。
气瓶柜的技术要求为铝型35×35框架,柜门、侧板采用金属冷轧板,均用环氧树脂粉沫喷涂,内设可活动的气瓶抱箍,便于气瓶的更换和移动。地脚为不锈钢螺丝、尼龙罩盖、橡胶底座组合结构,高纯供气系统,可调节高度为0—0.3m。配置了气体泄漏报警、温度数字指示、气体泄露时自动排放。具有防爆、阻燃等功能。实验室应按照房间大小比例设计相应数量带逆风阀的换气扇,使空气流通顺畅,保持清洁。每个房间都要设计带有过滤装置的通气孔,如果是带有室内走廊的房间也可在门窗上设百叶窗,尺寸按照排气量比例关系计算。
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